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可控硅模塊一般都對錯正弦電流，存在導通角的疑問而且負載電流有必定的波動性和不穩定要素，且可控硅芯片抗電流沖擊才華較差，在挑選模塊電流標準時有必要留出必定余量。模塊散熱條件的好壞直接關系到商品··· [ 詳情]2020-07-20
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊。最早是在1970年將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊因其體積小、重量輕、結構緊湊··· [ 詳情]2020-07-20
1．光控晶閘管的結構通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極C。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極(陽極A和陰極C)。但它的結構與普通可控硅一··· [ 詳情]2020-07-20
1.晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態,這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。 2.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，··· [ 詳情]2020-07-20
